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J-GLOBAL ID:201702274895675447   整理番号:17A0448364

InGaN/GaN多重量子井戸ダイオードと導波路の膜型光集積【Powered by NICT】

Membrane-type photonic integration of InGaN/GaN multiple-quantum-well diodes and waveguide
著者 (10件):
資料名:
巻: 64  ページ: 160-165  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GaNオンシリコンプラットフォーム上に機能を遂行することは高度に集積フォトニックシステムを構築するために,導波路とInGaN/GaN多重量子井戸ダイオード(MQWDs)の膜型集積を報告した。懸濁MQWDsは発光ダイオード(LED)またはフォトダイオードのいずれかとして用いることができる。作製したフォトニックシステムでは,LED発光の一部は懸濁導波路に結合し,導波光は導波路に沿って伝搬する横方向と最終的にフォトダイオードにより検出する。フォトニックシステムは面内導波光と外部入射光を同時に検出できる。平面光通信は概念実証モノリシック光集積システムは,面内可視光通信を達成できることを実験的に実証した。本研究は可視領域における新しい能動電気光学センシングシステムと平面光通信への道を開くものである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  発光素子 

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