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J-GLOBAL ID：201702274915403941   整理番号：17A0366248

化学気相蒸着により成長させた炭化ジルコニウム膜の成長速度,形態及び微細構造に及ぼす基板ガス入口ギャップの影響【Powered by NICT】

Influence of the substrate gas-inlet gap on the growth rate, morphology and microstructure of zirconium carbide films grown by chemical vapour deposition

著者 (9件)： Biira S. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Biira S. (Department of Physics, Busitema University, P.O. Box 236, Tororo, Uganda) ,  Alawad B.A.B. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Bissett H. (Applied Chemistry Division, The South African Nuclear Energy Corporation (Necsa), P.O. Box 582, Pretoria 0001, South Africa) ,  Nel J.T. (Applied Chemistry Division, The South African Nuclear Energy Corporation (Necsa), P.O. Box 582, Pretoria 0001, South Africa) ,  Ntsoane T.P. (Radiation Science Division, The South African Nuclear Energy Corporation (Necsa), P.O. Box 582, Pretoria 0001, South Africa) ,  Hlatshwayo T.T. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa) ,  Crouse P.L. (Department of Chemical Engineering, University of Pretoria, 0002, South Africa) ,  Malherbe J.B. (Department of Physics, University of Pretoria, Pretoria 0002, South Africa)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 1 PB  ページ： 1354-1361  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガス入口の間のギャップと社内開発した熱化学蒸着(CVD)反応器における基質,成長速度,表面形態,相組成および蒸着したZrC膜の微細構造への影響をX線回折(XRD)と走査電子顕微鏡(SEM)で調べた。ZrC膜を種々の基板入口ギャップ,すなわちで高密度グラファイト基板上に成長させた。70mm,90mm,120mm,145mm,170mm,1200°Cおよび1400°Cの基板温度1400°Cで調製したZrC膜の成長速度は1200°Cでのそれより高いことが観察され,両温度での基質入口ギャップの増加とともに減少することが分かった。境界層厚は基板入口ギャップの増加と共に増加した。反応物の拡散係数は,それぞれ,1200°Cと1400°Cで蒸着したZrC膜について0.176cm~2/sと0.200cm~2/sであることが分かった。反応表面に境界層を通しての原料物質の拡散を説明するモデルも示した。ZrC膜のXRDの結果は,1200°Cと1400°Cの両方で(111)面は優先配向したが,(200)および(220)を優先面であることを示した。ZrC膜の優先配向の程度は基板入口ギャップの増加と共に減少することが分かった。SEMの結果は,基質入口間隙は1400°Cで70から170mmに増加すると,膜は増加した粒子凝集とより均一になったことを示した。粒子のカリフラワー状クラスタはサイズが大きく成長し,全表面を被覆した。これと対照的に,1200°Cで表面結晶は基板入口ギャップから70~170mmに増加すると縮小し複雑なファセットを有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ファセット ,  拡散係数 ,  X線回折 ,  *成長速度 ,  基板温度 ,  基質 ,  走査電子顕微鏡 ,  層厚 ,  優先配向 ,  熱CVD ,  相組成 ,  凝集
準シソーラス用語： 高密度 ,  表面形態 ,  *炭化ジルコニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Microstructure ,  炭化ジルコニウム膜 ,  成長速度 ,  化学蒸着 ,  XRD

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  炭化ジルコニウム ,  成長速度 ,  形態 ,  微細構造 ,  ガス入口 ,  ギャップ