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J-GLOBAL ID：201702275060129802   整理番号：17A0775964

高低電圧電力変換回路の新しいオンチップ【Powered by NICT】

A novel on-chip high to low voltage power conversion circuit

著者 (7件)： Wang Hui (Institute of Mechano-electronic Engineering, Xidian University) ,  Wang Songlin (Institute of Mechano-electronic Engineering, Xidian University) ,  Lai Xinquan (Institute of Electronic CAD, Xidian University) ,  Ye Qiang (Institute of Electronic CAD, Xidian University) ,  Mou Zaixin (Institute of Mechano-electronic Engineering, Xidian University) ,  Li Xianrui (Institute of Electronic CAD, Xidian University) ,  Guo Baolong (Institute of Mechano-electronic Engineering, Xidian University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 3  ページ： 122-126  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TSMCの0.6μmB CDプロセスに基づいた高電圧ICのための新しい電源変換技術を達成した。調整可能なバンドギャップ電圧基準は,従来の電源変換技術とは異なった。負荷能力を向上させるためにプッシュプル出力ステージを用いて高電圧ICのための内部電源として用いることができる。高次温度補償回路は,参照の精度を確実にするように設計されている。この新しいパワーサプライ技術を用いて占有されているたった0.01mm2面積。従来法と比較して,面積の50%を節約し,40%静止電力損失は減少し,参照の温度係数は4.48ppm/°Cであった。従来のLDO(低ドロップアウト)調節因子と比較して,この電力変換アーキテクチャは,外部出力静電容量を必要とせず,チップピンと外部部品を減少させるので,PCB面積と設計コストも減少した。試験結果は,この回路が良好に動作することを示す。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 計算機アーキテクチャ ,  バンドギャップ ,  温度係数 ,  静電容量 ,  *電圧 ,  *電力変換 ,  温度補償
準シソーラス用語： 電力損失 ,  補償回路 ,  *オンチップ ,  *電源回路 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電力管理 ,  バンドギャップ基準 ,  高次温度補償 ,  プッシュプル出力

分類 (1件)： 電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低電圧 ,  電力変換回路 ,  オンチップ