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J-GLOBAL ID：201702275060538281   整理番号：17A0657868

超薄VO_x中間層の低温原子層蒸着による有機電界効果トランジスタを可能にしたにおける効率的な電荷注入【Powered by NICT】

Efficient Charge Injection in Organic Field-Effect Transistors Enabled by Low-Temperature Atomic Layer Deposition of Ultrathin VO_x Interlayer

著者 (7件)： Gao Yuanhong (School of Advanced Materials, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, 518055, P.R. China) ,  Shao Youdong (School of Advanced Materials, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, 518055, P.R. China) ,  Yan Lijia (School of Advanced Materials, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, 518055, P.R. China) ,  Li Hao (School of Advanced Materials, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, 518055, P.R. China) ,  Su Yantao (School of Advanced Materials, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, 518055, P.R. China) ,  Meng Hong (School of Advanced Materials, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, 518055, P.R. China) ,  Wang Xinwei (School of Advanced Materials, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, 518055, P.R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 25  ページ： 4456-4463  発行年： 2016年07月05日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/有機界面での電荷注入は一般に有機電子素子のための重要な課題である不十分な電荷注入は高い接触抵抗の原因となり,有機デバイスの性能を厳しく制限する。本研究では,有機電界効果トランジスタ(OFET)のための効率的な正孔注入中間層としての超薄バナジウム酸化物(VO_x)層を調製するために原子層蒸着(A LD)を用いて電荷注入を増強する新しいアプローチを示した。有機材料は一般的に微妙なので,穏やかな低温A LDプロセスは適合性が必要である。,酸素源としてテトラキス(ジメチルアミノ)バナジウムと非酸化性水の高揮発性バナジウム前駆体を用いて50°CでVO_xのために開発した新しい低温A LDプロセス。プロセスは膜厚の正確な制御を有する非常に滑らかな,均一で共形VO_x薄膜を作製することができた。このA LDプロセスを用いて,A LD VO_x中間層は界面接触抵抗を著しく減少させ,したがって,OFETのデバイス性能を大きく増大させることができることを実証した。metal/VO_x/organic界面(すなわち,Cu/VO_x/pentacene,Au/VO_x/pentacene,Au/VO_x/BOPAnt)の複数の組合せを検討し,その結果は全ての場合における接触抵抗を減少させることの有効性,一般的に有機デバイス応用のためのこのA LDアプローチの幅広い可能性を明らかにすることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バナジウム ,  膜厚 ,  酸化バナジウム ,  接触抵抗 ,  薄膜 ,  有機材料 ,  *キャリア注入 ,  *低温 ,  界面 ,  前駆体
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  有機デバイス ,  *有機FET ,  *ALCVD ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層蒸着A LD ,  正孔注入層 ,  有機電界効果トランジスタ ,  酸化バナジウム

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中間層 ,  低温 ,  原子層蒸着 ,  有機電界効果トランジスタ ,  電荷注入