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J-GLOBAL ID:201702275446193904   整理番号:17A0451469

Si WSi_2ナノ複合材料の微細構造と熱電特性【Powered by NICT】

Microstructure and thermoelectric properties of Si-WSi2 nanocomposites
著者 (8件):
資料名:
巻: 125  ページ: 321-326  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0316A  ISSN: 1359-6454  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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nドープSi/WSi_2のナノ複合材料を調製し,形態学的および熱電気的に調べた。複合材料はWSi_2ナノ介在物を持つドープしたSiナノ粒子の放電プラズマ焼結により緻密化した。ナノ粒子は気相プロセスで合成した。バルクナノ複合材料の微細構造はWSi_2リッチと欠乏領域の形でWSi_2ナノ介在物の不均一分布を示した。この不均一性は出発材料には存在せず,焼結中の自己組織化プロセスに帰属した。不均一性はマイクロメータ範囲にあり,長波長フォノンの散乱中心として作用する可能性がある。WSi_2ナノ包有物は全W含有量に依存して本来3 7nm30 143nmまで焼結中に成長とフォノンの中波長範囲に対する散乱中心として作用する可能性がある。さらに,Si結晶粒の成長はWSi_2介在物,強化された粒界密度をもたらすにより抑制された。1at%Wを添加すると,純粋なナノ結晶シリコン(ドープした)と比較して300Kから1250Kまでの温度範囲で格子熱伝導率を低減するほぼ35%であった。6at%Wを添加することにより格子熱伝導率の54%の減少を達成した。少量Wの力率を僅かに減少がタングステン参照と比較して1250Kで50%の熱電性能指数の増強を実現した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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半導体結晶の電気伝導  ,  熱電デバイス 
タイトルに関連する用語 (4件):
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