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J-GLOBAL ID：201702275451600981   整理番号：17A0402905

光電子分光法と第一原理計算により調べたエピタキシャルGaAsBiのBi結晶部位における局所変化【Powered by NICT】

Local variation in Bi crystal sites of epitaxial GaAsBi studied by photoelectron spectroscopy and first-principles calculations

著者 (15件)： Laukkanen P. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland) ,  Punkkinen M.P.J. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland) ,  Lahti A. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland) ,  Puustinen J. (Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, FI-33101 Tampere, Finland) ,  Tuominen M. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland) ,  Hilska J. (Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, FI-33101 Tampere, Finland) ,  Maekelae J. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland) ,  Dahl J. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland) ,  Yasir M. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland) ,  Kuzmin M. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland) ,  Kuzmin M. (Ioffe Physical-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg 194021, Russian Federation, Russian Federation) ,  Osiecki J.R. (The MAX IV laboratory, P. O. Box 118, Lund University, SE-221 00 Lund, Sweden) ,  Schulte K. (The MAX IV laboratory, P. O. Box 118, Lund University, SE-221 00 Lund, Sweden) ,  Guina M. (Optoelectronics Research Centre, Tampere University of Technology, FI-33101 Tampere, Finland) ,  Kokko K. (Department of Physics and Astronomy, University of Turku, FI-20014 Turku, Finland)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 688-694  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルBi含有III-V結晶(III V_1xBi_x)は赤外応用におけるそれらの潜在的に起因し,益々注目を集めている。バルクIII V_1xBi_x特性(例えば,Bi取り込みと欠陥形成)の原子スケール特性評価と工学が困難であるが,アプリケーションの開発に関連している。標的に向けて,ここでは光電子分光法(PES)の従来の表面科学測定はバルク様特性の研究,表面効果を適切に除去した場合に結合できる可能性,非破壊法であることを報告する。エピタキシャルAlAs層でキャップされた,エピタキシャルGaAs_1 xBi_x膜高分解能光電子分光法を調べた。ab initio計算とともにGaAs_1 xBi_xのBi5d内殻準位スペクトルは格子サイト中のBi結合環境の変化の直接的な証拠を与えた。結果は調べたGaAs_1 xBi_x膜はより高いBi含有量,PLに寄与する局所領域を含むことを示したが,X線回折(XRD)に現れる容易にしない光ルミネセンス(PL)測定と一致した。測定および計算したBi内殻準位シフトはGa空格子点とBiクラスタが支配的な欠陥であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高分解能 ,  光ルミネセンス ,  *エピタクシー ,  内殻準位 ,  キャラクタリゼーション ,  *ガリウム ,  *光電子分光法 ,  ヒ化アルミニウム ,  *ビスマス ,  X線回折 ,  シンクロトロン放射
準シソーラス用語： 表面科学 ,  原子スケール ,  欠陥形成 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaAsBi ,  光電子分光 ,  シンクロトロン放射 ,  光ルミネセンス

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電子分光法 ,  第一原理計算 ,  エピタキシャル ,  GaAsBi ,  Bi ,  結晶