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J-GLOBAL ID：201702275475048981   整理番号：17A0204212

G(m.max)=1441mS/mmによるAs EMT100nmゲートin(0.52)Al(0.48)As/In(0.7)Ga(0.3)のf_T=260GHzおよびf(max)=607GHz【Powered by NICT】

f_T = 260 GHz and f_(max) = 607 GHz of 100-nm-gate In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.7)Ga_(0.3)As HEMTs with G_(m.max) = 1441 mS/mm

著者 (7件)： Wang Qing (University of Electronic Science and Technology of China) ,  Ding Peng (Department of Microwave IC,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Su Yongbo (Department of Microwave IC,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ding Wuchang (Department of Microwave IC,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Muhammad Asif (Department of Microwave IC,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Tang Wu (University of Electronic Science and Technology of China) ,  Jin Zhi (Department of Microwave IC,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 7  ページ： 074003-1-074003-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2×50μmの幅と2.4μmのソース-ドレイン空間を持つ100nmゲートInP系InAlAs/InGaAs高電子移動度トランジスタ(HEMT)を系統的に調べた。InGaAs層の高インジウム(In)組成は,チャネル層のより高い移動度を得るために採用した。サンドイッチ構造は,キャップ層を最適化し,非常に低い接触抵抗を生成するために採用した。作製したデバイスは外因性最大相互コンダクタンスG(m max)=1441mS/mm,遮断周波数f_T=260GHz,最大発振周波数f(max)=607GHzを示した。InPベースH EMTのための散乱パラメータ(Sパラメータ)の低周波数領域に適合正確に開発した半経験的モデル。測定及びシミュレートしたSパラメータの間の優れた一致は,この手法の妥当性を示す。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 遮断周波数 ,  最適化 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  移動度 ,  接触抵抗 ,  HEMT ,  サンドイッチ構造 ,  相互コンダクタンス ,  周波数領域 ,  リン化インジウム
準シソーラス用語： 経験モデル ,  Sパラメータ ,  発振周波数 ,  キャップ層 ,  ヒ化インジウムアルミニウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 高電子移動度トランジスタ ,  InGaAs層 ,  半経験的モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Max ,  ゲート ,  Al ,  Ga