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J-GLOBAL ID：201702275489536025   整理番号：17A0738558

電着支援剥離(EAS)プロセスを用いる単結晶Siの剥離に対するレーザ印刻の効果

Effect of the Laser-Scribing on Spalling of a Single Crystalline Si Using Electrodeposition Assisted Stripping (EAS) Process

著者 (7件)： JEON Jaeho (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  YU Sungkuk (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  YANG Changyol (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  JIN Sanghyun (Hanyang Univ., Ansan, KOR) ,  ROH Jiwon (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  JUNG Jaehak (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  YOO Bongyoung (Hanyang Univ., Ansan, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 10  ページ： 10670-10674  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶Siのストレス剥離による結晶性Si薄膜の作製について調べた。単結晶Si表面にNi膜を電着して,Si層内に発生させたストレスによってSi薄膜を剥離するEASプロセスに際して,亀裂の開始点を指示するためにパルスレーザで単結晶の側面に刻印を描いた。その後,Niの電着を行ってSi薄膜の剥離を行った。剥離は刻印側線から始まるが,Siの剥離厚さはNi層の厚さに依存して進行することがわかった。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  半導体プロセス ,  単結晶 ,  ケイ素 ,  層間剥離 ,  マーキング ,  レーザ応用 ,  ニッケルめっき ,  電着 ,  内部応力 ,  依存性
準シソーラス用語： 厚さ依存性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電着 ,  支援 ,  EAS ,  プロセス ,  単結晶Si ,  レーザ