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J-GLOBAL ID：201702275493690403   整理番号：17A0791706

PbドープBaTiO_3セラミックスの作製と電気的研究【Powered by NICT】

Fabrication and electrical investigations of Pb-doped BaTiO₃ ceramics

著者 (5件)： Sareecha N. (Laboratory of Physical Chemistry, Department of Chemistry, Islamia University of Bahawalpur, Pakistan) ,  Shah W.A. (Glass and Ceramics Research Centre, PCSIR Laboratories Complex, Ferozpur Road, Lahore 54600, Pakistan) ,  Maqsood A. (Nano Scale Physics Laboratory, Department of Physics, Air University, PAF Complex E-9, Islamabad, Pakistan) ,  Anis-ur-Rehman M. (Applied Thermal Physics Laboratory, COMSATS Institute of Information and Technology, Park Road, Islamabad 44000, Pakistan) ,  Latif Mirza M. (Laboratory of Physical Chemistry, Department of Chemistry, Islamia University of Bahawalpur, Pakistan)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 193  ページ： 42-49  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pbの電気的性質をドープしたBaTiO_3;PBTは1kHzの周波数で温度(40 700 °C)の広い範囲で調べた。PBTセラミックスを固相焼結法により作製した。Ba/Tiモル比0.98で調製した前焼成BaTiO_3はPbCO_3(<1モル%)をドープした。XRDパターンは正方晶構造(P4mm)を持つペロブスカイト相を示した。形態学的研究(SEM)は鉛含有量の増加に伴って穀粒形成を明らかにした。鉛ドーピングとその変化により,Curie温度(T_C)は広い誘電率ピークで120から200°Cにシフトし,リラクサ挙動と誘電異常が観察された。抵抗率は温度の上昇と共に減少し,全ての試料は負の抵抗温度係数(NTCR)特性の半導体挙動を示した。電子の移動度は一つの位置から他への電荷キャリアのホッピングによる熱活性化により増加した。オーミック伝導率と関連した活性化エネルギーをインピーダンス分光法により評価した。伝導率は二重にイオン化した酸素空孔に所有イオン伝導に起因するE_a=1.187 1.169eVのArrhenius則に従った。室温で測定した明瞭なヒステリシスP-Eループは,材料の強誘電特性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： モルフォロジー ,  強誘電性 ,  リラクサ ,  *ドーピング ,  電気抵抗率 ,  正方晶系 ,  *セラミック ,  Curie温度 ,  活性化エネルギー ,  *鉛 ,  ホッピング伝導 ,  誘電率
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  インピーダンス分光法 ,  ペロブスカイト型構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BaTiO_3セラミック ,  Perovskites ,  Curie温度 ,  常誘電性領域 ,  イオン伝導

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Pb ,  ドープ ,  セラミックス ,  作製 ,  研究