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J-GLOBAL ID：201702275628616924   整理番号：17A0470995

一段階電着により合成したCdTe微細構造アレイのモルフォロジー制御およびキャラクタリゼーション【Powered by NICT】

Morphological control and characterization of CdTe microstructure arrays synthesized by one-step electrodeposition

著者 (7件)： Chi Kailin (State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, PR China) ,  Li Qian (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, PR China) ,  Meng Xianwei (State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, PR China) ,  Liu Li (State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, PR China) ,  Ding Dong (State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, PR China) ,  Yang Haibin (State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, PR China) ,  Fu Wuyou (State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130012, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 194  ページ： 78-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テンプレートと界面活性剤の添加なしで,種々の新しい形態を持つテルル化カドミウム(CdTe)微細構造は 0.65Vから 0.50V(vs. Ag/AgCl)から析出電位範囲で酸系における一段階電着によって作製した。合成されたままの膜の構造と性質をX線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),紫外可視吸収分光法及び光電気化学測定によって特性化した。XRDパターンは高純度CdTe膜は立方晶相であり,(111)方向に沿った優先配向を示すことを明らかにした。SEMは電着電位を変化させることにより,著者らはマイクロロッドアレイから高度に秩序化した花状構造への進化異なる形態を有するCdTe構造アレイを得ることができることを示した。添加では,優れた光学的および光電気化学的性能に基づいて,これらのCdTe微細構造は基板構成光起電素子応用のための応用性を有するだろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  *テルル化カドミウム ,  界面活性剤 ,  吸光分光分析 ,  *微細構造 ,  優先配向 ,  電位 ,  *モルフォロジー ,  X線回折 ,  *電着 ,  光電気化学 ,  *キャラクタリゼーション ,  光起電素子
準シソーラス用語： 電気化学的性能 ,  高純度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CdTe ,  電着 ,  堆積の可能性 ,  Microstructure

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気めっき  (WC08023B) ,  塩  (CD01050V) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 段階 ,  電着 ,  CdTe ,  微細構造 ,  アレイ ,  モルフォロジー ,  キャラクタリゼーション