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J-GLOBAL ID：201702275651855033   整理番号：17A0304010

商用CMOSプロセスにおけるSRAMパルス中性子放射効果実験【JST・京大機械翻訳】

Experimental investigations on pulsed neutron radiation effect on commercial CMOS SRAMs

著者 (7件)： Qi Chao (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Yang Shanchao (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Liu Yan (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Chen Wei (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Lin Dongsheng (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Jin Xiaoming (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Wang Chenhui (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology)
資料名： Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao  (Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao)
巻： 14  号： 5  ページ： 800-804  発行年： 2016年 
JST資料番号： C3004A  ISSN： 2095-4980  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 相反転金属酸化物半導体(CMOS)プロセスの静的ランダム処理メモリ(SRAM)パルス中性子放射効果の機構を研究するために,SRAM反転効果をモンテカルロシミュレーションによって研究した。パルス中性子照射下のSRAM反転は単一粒子フリップの重ね合わせの仮定に基づき、単位反転と偽多反転の総ターンオーバーにおけるパーセンテージを計算した。3つの特性サイズの商用SRAMに関するパルス状態実験を,西安パルス反応器において実行し,そして,パルス中性子の下のSRAMの反転機構を,シミュレーション結果によって解析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 金属酸化物 ,  反応器 ,  ランダム処理 ,  *SRAM ,  重合せ ,  半導体 ,  記憶装置 ,  ターンオーバー ,  シミュレーション ,  *パルス ,  *CMOS
準シソーラス用語： 単一粒子 ,  モンテカルロシミュレーション ,  *パルス中性子 ,  *CMOSプロセス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： pulsed neutron ,  Single Event Upset ,  Pseudo Multiple Bit Upset ,  Static Random Access Memory

分類 (1件)： 磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOSプロセス ,  SRAM ,  パルス中性子 ,  放射効果 ,  実験