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J-GLOBAL ID：201702275692446943   整理番号：17A0214350

選択的レーザアニーリングによるソース/ドレインドーパント回復を用いたV_ov=V_ds=1V,SS=95mV/dec,高I_on/I_off=2×10~6と減少した雑音パワー密度での同時I_on=1235μA/μmの高性能Ge無接合ゲートオールアラウンドNFETs【Powered by NICT】

High performance Ge junctionless gate-all-around NFETs with simultaneous I_on =1235 μA/μm at V_ov=V_ds=1V, SS=95 mV/dec, high I_on/I_off=2×10⁶, and reduced noise power density using S/D dopant recovery by selective laser annealing

著者 (10件)： Wong I-Hsieh (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Lu Fang-Liang (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Huang Shih-Hsien (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Ye Hung-Yu (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Lu Chun-Ti (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Yan Jhih-Yang (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Shen Yu-Cheng (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Peng Yu-Jiun (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lan Huang-Siang (Graduate Institute of Electronic Engineering) ,  Liu C. W. (Graduate Institute of Electronic Engineering)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 33.6.1-33.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： S/D抵抗を低減するために,1.2×10~20cm~ 3のチャネルおよび高S/Dドーピングを枯渇させるために1.2×10~19cm~ 3の低いチャネルドーピング濃度はイオン注入なしでSOI上の同じCVD Pをドープしたエピタキシャル成長したGeに対する選択的レーザアニーリングで同時に達成した。7nm,EOT=2.2nm,及びLch=60nmまでWfinをもつデバイスは,イオン=1146μA/pm,Ion/Ioff=2×10~6,およびSS=95mV/decを持っている。イオンは外部一軸引張歪0.16%の1235μA/μmのさらなる向上できる。自己加熱効果は,このような高いイオンの役割の原因と,高いデバイス温度が流路内の支配的な不純物散乱を低減できるためである。温度上昇に伴う増加移動度は不純物散乱が支配的である示した。より低い低周波雑音をJL FETのバルク伝導性による平面反転モード(INV)デバイスよりも無接合(JL)ゲートオールアラウンド(GAA)FETで観察された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 導電性 ,  昇温 ,  移動度 ,  イオン ,  イオン注入 ,  低周波雑音 ,  一軸 ,  *ゲルマニウム ,  ドーピング ,  *レーザアニーリング
準シソーラス用語： 不純物散乱 ,  自己加熱 ,  引張歪 ,  *ゲートオールアラウンド ,  *電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： レーザアニーリング ,  ソース ,  回復 ,  DEC ,  雑音 ,  パワー密度 ,  高性能 ,  Ge ,  ゲートオールアラウンド