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J-GLOBAL ID：201702275849256128   整理番号：17A0345874

フラッシュメモリにおける陰圧電荷ポンプの研究と設計【JST・京大機械翻訳】

Design of Negative Charge Pump for Flash Memory

著者 (9件)： Xie Kaiyi (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Wan (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Jing (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Huo Changxing (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Xie Yuanlu (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Sun Haitao (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Kun (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Bi Jinshun (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Institute of MicroElectronics of the Chinese Academy of Sciences)
資料名： Weidianzixue yu Jisuanji  (Weidianzixue yu Jisuanji)
巻： 33  号： 12  ページ： 34-37  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2387A  ISSN： 1000-7180  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,単一電源と低電圧供給のためのフラッシュメモリのための陰圧チャージポンプの実用化法を提案した。電荷ポンプの動作原理を分析した上で、NOR FLASHメモリ回路システムの負電圧に対する要求を結合し、プログラミングクロストークを抑制するための陰圧電荷ポンプ回路構造を提案し、その動作原理を詳細に分析した。最後に,異なる電圧源,電源電圧および温度に対するシミュレーション結果により,この電荷ポンプシステムが2ΜS以内に300MVの電圧を安定して出力でき,設計要求を満たすことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *記憶装置 ,  電圧 ,  *フラッシュメモリ
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  回路構成 ,  負電圧 ,  動作原理 ,  電圧印加 ,  *チャージポンプ回路 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Flash memory ,  negative generating circuit ,  charge pump ,  disturb

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： フラッシュメモリ ,  陰圧 ,  電荷ポンプ ,  研究 ,  設計