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J-GLOBAL ID：201702276011230926   整理番号：17A0325818

逆ペロブスカイトCH_3NH_3PbI_3太陽電池における正孔輸送層として作用するCuベース第四級カルコゲン化物Cu_2BaSnS_4薄膜【Powered by NICT】

Cu-based quaternary chalcogenide Cu₂BaSnS₄ thin films acting as hole transport layers in inverted perovskite CH₃NH₃PbI₃ solar cells

著者 (3件)： Ge Jie (Department of Physics and Astronomy, Wright Center for Photovoltaics Innovation and Commercialization, The University of Toledo, Toledo, Ohio 43606, USA. [e-mail] [e-mail]) ,  Grice Corey R. ,  Yan Yanfa
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 6  ページ： 2920-2928  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆ペロブスカイトCH_3NH_3PbI_3太陽電池のための効率的で安定な無機正孔輸送材料の開発に向けての努力が進行中である。ここでは,ワイドバンドギャップp型四元系カルコゲン化物Cu_2BaSnS_4半導体はその十分な化学的安定性,高いキャリア移動度(~10 cm~2 V~ 1 s~ 1)および適切なバンドアラインメントCH_3NH_3PbI_3とのために逆ペロブスカイトCH_3NH_3PbI_3薄膜太陽電池の有望な正孔輸送材料として実証した。厚さ100nmのCu_2BaSnS_4正孔輸送層に基づく反転太陽電池は低度電流電圧走査ヒステリシスの~10%の最良のPCEを達成した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *カルコゲン化物 ,  電圧 ,  *太陽電池 ,  *薄膜 ,  ヒステリシス ,  *銅 ,  半導体
準シソーラス用語： 薄膜太陽電池 ,  バンドアライメント ,  化学的安定性 ,  四成分系 ,  ワイドバンドギャップ ,  *正孔輸送 ,  *正孔輸送層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： ペロブスカイト ,  太陽電池 ,  正孔輸送層 ,  Cu ,  カルコゲン化物 ,  薄膜