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J-GLOBAL ID：201702276055558849   整理番号：17A0303311

SiO_2パターンとグラフェンフレーク上に核形成したMoS_2の気相輸送成長【Powered by NICT】

Vapor transport growth of MoS_2 nucleated on SiO_2 patterns and graphene flakes

著者 (8件)： Stoica Toma (Peter Grunberg Institute 9 (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Julich) ,  Stoica Mihai (Peter Grunberg Institute 9 (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Julich) ,  Duchamp Martial (Peter Grunberg Institute 5 (PGI 5) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Julich) ,  Tiedemann Andreas (Peter Grunberg Institute 9 (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Julich) ,  Mantl Siegfried (Peter Grunberg Institute 9 (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Julich) ,  Grutzmacher Detlev (Peter Grunberg Institute 9 (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Julich) ,  Buca Dan (Peter Grunberg Institute 9 (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Julich) ,  Kardynal Beata E (Peter Grunberg Institute 9 (PGI 9) and JARA-Fundamentals of Future Information Technologies, Forschungszentrum Julich)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 11  ページ： 3504-3514  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターン化した基板上の原子的に薄いMoS_2層の気相輸送成長を研究し,ヘテロ接合の自己整合成長と形成,将来の応用において有用なに向けた一歩である。パターンエッジでMoS_2フレークの増強された形成は,検討した両基質,すなわち,SiO_2上のSi(100)とグラフェンフレーク上にパターン化された熱SiO_2で観察された。拡散駆動成長はSiO_2パターンの端部約十μmのサイズを持つMoS_2単分子層(ML)の形成をもたらした。成長モードとMoS_2フレークの光学的品質は基板温度を変えることによって制御できる。横方向成長に加えて,3R型ピラミッドは成長を延長を得た。横方向MoS_2グラフェンヘテロ構造は,基質としてSiO_2上のグラフェンフレークを用いて得た。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 角錐 ,  基質 ,  *核形成 ,  ヘテロ接合 ,  *グラフェン ,  *気相 ,  基板温度 ,  自己整合 ,  単分子層 ,  パターン形成 ,  *フレーク
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  横方向成長 ,  成長モード ,  二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MoS_2 ,  に局在した核形成と成長 ,  グラフェン ,  2次元(2D)ヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  フレーク ,  核形成 ,  気相 ,  輸送 ,  成長