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J-GLOBAL ID：201702276061677208   整理番号：17A0775922

象徴的に定義されたInP二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタ大信号モデル【Powered by NICT】

A symbolically defined InP double heterojunction bipolar transistor large-signal model

著者 (5件)： Cao Yuxiong (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Jin Zhi (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Ge Ji (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Su Yongbo (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Xinyu (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 12  ページ： 37-41  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT)の特性の解析に基づく自作の正確で柔軟な大信号モデルをアジレント社ADSにおける七ポート記号的に定義された装置(SDD)として実装した。モデルは多くの物理現象自己加熱効果,Kirk効果,ソフト膝効果,ベース-コレクタ静電容量とコレクタ走行時間incluaingを説明した。妥当性と大信号モデルの精度は,DCの測定とシミュレーションを比較して,InP DHBTの小信号Sパラメータをマルチバイアスによって評価した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走行時間 ,  *リン化インジウム ,  ポート ,  *HBT【トランジスタ】 ,  静電容量 ,  Sパラメータ ,  自己加熱
準シソーラス用語： DHBT ,  *大信号モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： InPDH BT ,  大信号モデル ,  SDD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 定義 ,  InP ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  大信号モデル