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J-GLOBAL ID：201702276066232081   整理番号：17A0831831

ゾル-ゲル誘導したNiをドープしたPbTiO_3薄膜の増強された電気的および光電流特性【Powered by NICT】

Enhanced electrical and photocurrent characteristics of sol-gel derived Ni-doped PbTiO₃ thin films

著者 (4件)： Zhao C.W. (The Key Laboratory of Space Applied Physics and Chemistry, Ministry of Education, School of Science, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Luo B.C. (The Key Laboratory of Space Applied Physics and Chemistry, Ministry of Education, School of Science, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Guo S.J. (The Key Laboratory of Space Applied Physics and Chemistry, Ministry of Education, School of Science, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China) ,  Chen C.L. (The Key Laboratory of Space Applied Physics and Chemistry, Ministry of Education, School of Science, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 10  ページ： 7861-7865  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チタンの10族金属の部分置換はPbTiO_3ベース強誘電体光起電力材料のバンドギャップを減少する最も有効な方法の一つであることを理論的に予測した。強誘電と光起電力特性を実験的に調べることは,重要である。本研究では,ゾル-ゲル法で調製したNiドープPbTiO_3薄膜の電気的および光電流特性に焦点を当てた。ニッケル取込はPbTiO_3薄膜の結晶構造を変化させないが,誘電率,強誘電分極と光電流を増加させ,バンドギャップを減少させることができる。58.1μC/cm~2の最大残留分極(Pr)はPbTi_0 8Ni_0 2O_3薄膜で観察され,その光電流密度はPbTiO_3薄膜のそれよりも約一桁大きいことが改善され,同時に偏光依存スイッチング特性,強誘電性光起電力応用のための有望な選択である可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゾル-ゲル法 ,  *薄膜 ,  残留分極 ,  強誘電体 ,  *ゲル ,  強誘電性 ,  結晶構造 ,  *光電流 ,  電流密度 ,  光起電力 ,  *ニッケル ,  誘電率 ,  バンドギャップ ,  *ドーピング ,  強誘電分極

著者キーワード (3件)： 電気的性質 ,  強誘電体光起電力 ,  光電流

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル-ゲル ,  誘導 ,  Ni ,  ドープ ,  薄膜 ,  増強 ,  光電 ,  流特性