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J-GLOBAL ID:201702276067004861   整理番号:17A0132713

多結晶InGaO3(ZnO)2超格子薄膜の微細構造に依存する熱電性能

Microstructure-dependent thermoelectric properties of polycrystalline InGaO3(ZnO)2 superlattice films
著者 (5件):
資料名:
巻: 35  号:ページ: 01B126-01B126-9  発行年: 2017年01月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ナノメータ規模の結晶粒を導入し熱電性能を調整するために,原子層堆積法(ALD)で成長させた酸化亜鉛(ZnO)のバッファ層を利用して,異なる程度のc軸優先配向と結晶粒径を持つ多結晶InGaO3(ZnO)2超格子を作製した。ALDで成長させたZnOバッファ層は,InGaO3(ZnO)2核とサファイア基板との格子不整合を減少させる選択的シード層として働き,溶液法で作製した非晶質の酸化インジウムガリウム亜鉛(InGaZnO)薄膜のInGaO3(ZnO)2超格子薄膜への結晶化を促進する。こうして,ZnOバッファ層の優先配向は,多結晶InGaO3(ZnO)2超格子薄膜の最終的な微細構造に重大な影響を及ぼす。ALDで成長させたZnOバッファ層のc軸優先配向と結晶粒径とは,成長温度を変えることで容易に制御できる。優れたc軸優先配向のZnOバッファ層は,強いc軸優先配向をもつInGaO3(ZnO)2結晶粒で構成される多結晶InGaO3(ZnO)2薄膜を生成する。興味深いことに,その熱伝導率(0.61W/mK)は,規則的に交互に積層された構造と導入された結晶粒界によるフォノン-界面およびフォノン-結晶粒界の有効散乱のため,ランダム配向の多結晶および単結晶InGaO3(ZnO)2薄膜(>1W/mK)に比べ劇的に低下する。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  比熱・熱伝導一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
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