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J-GLOBAL ID：201702276159293714   整理番号：17A0591756

アモルファスInZnSnO/InZnSnO:Er二重チャンネル薄膜トランジスタに対するErドーピングの影響

Effects of Er-Doping on Amorphous InZnSnO/InZnSnO:Er Double-Channel Thin-Film Transistors

著者 (13件)： YANG Ji-Woong (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  YANG Ji-Woong (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  NA Yun-Been (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  NA Yun-Been (Univ. Sci. and Technol., Daejeon, KOR) ,  SHIN Jae-Heon (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  HONG Chan-Hwa (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  SEO Woo-Hyung (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  KIM Kyung-Hyun (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  SONG Chang-Woo (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  SONG Chang-Woo (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR) ,  SONG Sang-Hun (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KWON Hyuck-In (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  CHEONG Woo-Seok (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Daejeon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3415-3419  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代のフラットパネルディスプレーとして,アモルファス酸化物薄膜トランジスタ(TFT)が有望視されているが,電気的な安定性が未だ不十分である。以前の研究において,HfやAlなどのドーピングにより,ZnOベースアモルファス酸化物TFTの電気的安定性が改善されると報告された。そこで,本研究では,アモルファスInZnSnO/InZnSnO:Er二重チャンネルにおよぼすErドーピングの影響を調べ,従来の単一チャンネルTFTと比較した。二重チャンネルTFTの電界効果移動度と安定性は,ドーピングにより改善されることがわかった。改善の微視的な原因をX線光電子分光の測定結果から論じた。

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  エルビウム ,  ドーピング ,  *効果 ,  半導体薄膜 ,  *化合物半導体 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウムスズ ,  インジウム化合物 ,  金属酸化物 ,  平衡 ,  キャリア移動度 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： アモルファス半導体 ,  *ドーピング効果 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  電気的安定性 ,  電界効果移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス ,  Er ,  チャンネル ,  薄膜トランジスタ ,  ドーピング