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J-GLOBAL ID：201702276273133457   整理番号：17A0548454

Si(100)ジャスト基板上InAs/GaAs量子ドット直接成長のための核形成層の形成

著者 (8件)： LEE Joohang (東大 生産技研) ,  KWOEN Jinkwan (ナノ量子機構) ,  影山健生 (ナノ量子機構) ,  渡邉克之 (東大 生産技研) ,  岩本敏 (東大 生産技研) ,  岩本敏 (ナノ量子機構) ,  荒川泰彦 (東大 生産技研) ,  荒川泰彦 (ナノ量子機構)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-313-1  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 結晶方位 ,  ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  *ヒ化ガリウム ,  *核形成 ,  オプトエレクトロニクス ,  MBE成長 ,  走査電子顕微鏡 ,  分域 ,  光ルミネセンス ,  量子ドットレーザ
準シソーラス用語： Si(100) ,  *InAs量子ドット ,  *GaAs ,  シリコンフォトニクス ,  分子線エピタクシー成長 ,  走査型電子顕微鏡 ,  逆位相領域

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  成長 ,  核 ,  形成層