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J-GLOBAL ID：201702276377588574   整理番号：17A0407191

より長い波長発光のための新しいII型InGaAs/GaAsBi量子井戸【Powered by NICT】

Novel type II InGaAs/GaAsBi quantum well for longer wavelength emission

著者 (16件)： Yue Li (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Song Yuxin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Chen Xiren (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Chen Xiren (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Chen Qimiao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Chen Qimiao (University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Pan Wenwu (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Pan Wenwu (University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wu Xiaoyan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Wu Xiaoyan (University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Liu Juanjuan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Liu Juanjuan (University of Chinese Academy of Sciences, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhang Liyao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Shao Jun (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Shumin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Wang Shumin (Department of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Gothenburg 41296, Sweden)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 753-759  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs上に発光波長を拡張し,効果を実験的に実証した新しいII型InGaAs/GaAsBi量子井戸構造を提案した。タイプII InGaAs/GaAsBi量子井戸を,分子ビームエピタクシーを用いて成長させた。室温光ルミネセンスは,同じBiまたはIn含有量を持つI型GaAsBiとInGaAs QWのそれよりもより長い1230nm,82nmと208nmに波長拡大を確認した。PL強度はGaAsBi QWよりも十倍以上に増強された。著者らの結果は,II型希薄ビスマス化物量子井戸はGaAs上の通信レーザを作るための可能性を持つことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造特性 ,  *ヒ化ガリウム ,  *インジウム ,  *発光 ,  MBE成長 ,  通信 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  光ルミネセンス ,  レーザ ,  *量子井戸 ,  *ビスマス ,  *波長

著者キーワード (5件)： InGaAs/GaAsBi II型量子井戸 ,  希薄bismides ,  波長拡張 ,  構造特性 ,  光学的性質

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 波長 ,  InGaAs ,  GaAsBi ,  量子井戸