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J-GLOBAL ID:201702276392952829   整理番号:17A0085398

高いON電流と負の出力微分抵抗を持つ負性キャパシタンス・トランジスターの解析と小型モデリング-第I部:モデルの説明

Analysis and Compact Modeling of Negative Capacitance Transistor with High ON-Current and Negative Output Differential Resistance-Part I: Model Description
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資料名:
巻: 63  号: 12  ページ: 4981-4985  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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負性キャパシタンス・電界効果トランジスター(NCFET)を実回路設計用に定量的に解析する,物理学に基づいた正確で計算効率の良い小型モデルを紹介した。このモデルは,標準のBSIM6金属酸化膜半導体電界効果トランジスター(MOSFET)モデルと組み合わせたLandau-Khalatnikov方程式に基づいており,Verilog-Aで実行される。また過渡的影響と温度影響を含んでおり,NCFETの種々の局面を正確に把握する。NCFETの種々の動作領域における包括的な準静的解析を,簡単な負荷曲線アプローチを使って行った。ここではまた,強誘電体とゲート酸化物の厚さが,MOSFETを上回るNCFETの性能利得に与える影響を解析した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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トランジスタ 

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