文献

J-GLOBAL ID：201702276423263693   整理番号：17A0238407

高帯域幅メモリ(HBM)のための非接触2Gb/s I/O試験法の設計【Powered by NICT】

Design of non-contact 2Gb/s I/O test methods for high bandwidth memory (HBM)

著者 (19件)： Lee Hyunui (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Kang Sukyong (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Yu Hye-Seung (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Yun Won-Joo (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Jung Jae-Hun (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Ahn Sungoh (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Kim Wang-Soo (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Kil Beomyong (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Sung Yoo-Chang (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Shin Sang-Hoon (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Park Yong-Sik (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Kim Yong-Hwan (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Nam Kyung-Woo (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Song Indal (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Sohn Kyomin (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Bae Yong-Cheol (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Choi Jung-Hwan (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Jang Seong-Jin (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448) ,  Jin Gyo-Young (Samsung Electronics, DRAM Design Team, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, Korea 18448)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： A-SSCC  ページ： 169-172  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Uバンプに直接接触しないI/O回路の直流および交流特性を検証するHBM装置を紹介した。内部DCおよびAC特性を検証するために,優秀(DFx)回路の設計を実施した。ZQピンなしに正確なインピーダンスキャリブレーションを実行するために,参照抵抗キャリブレーションロジックが組み込まれている。DFx AC結果と自動試験装置測定結果の比較では,DFx AC動作は2Gb/sまでの正常な動作と相関していることを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンプ ,  *記憶装置 ,  交流 ,  自動試験 ,  *帯域幅 ,  *試験方法
準シソーラス用語： *非接触 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  光通信方式・機器  (ND10000B) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高帯域幅 ,  HBM ,  非接触 ,  試験法 ,  設計