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J-GLOBAL ID:201702276743230550   整理番号:17A0325217

酸素プラズマ処理による多層HfSe_2電界効果トランジスタの調整可能な電気的性質【Powered by NICT】

Tunable electrical properties of multilayer HfSe2 field effect transistors by oxygen plasma treatment
著者 (12件):
資料名:
巻:号:ページ: 1645-1652  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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層の厚さと酸素プラズマ処理を最適化することにより,それらの電気的性質を選択的に調整するためにHfSe_2電界効果トランジスタを系統的に調べた。最適化プラズマ処理HfSe_2電界効果トランジスタは四桁の大きさ,27から10~~5の高いオン/オフ比の改善,2.16~3.04cm~2V~ 1s~ 1からの電界効果移動度の増加,30.6から4.8VにDEC~ 1サブしきい値スイング向上,空乏モード及び増強モードの間の正の閾値電圧シフトを示し,から 7.02から11.5Vプラズマ処理HfSe_2光検出器は可視光の近赤外領域から合理的な光応答性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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トランジスタ 
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