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J-GLOBAL ID：201702276832167451   整理番号：17A0547875

ミストCVD法によるα-Al₂O₃基板へのNiO薄膜の成長

著者 (4件)： 池之上卓己 (京大 大学院) ,  井上純輝 (京大 工) ,  三宅正男 (京大 大学院) ,  平藤哲司 (京大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-502-10  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  *基板 ,  *酸化ニッケル ,  *薄膜 ,  配向 ,  エピタクシー ,  X線回折 ,  透過率
準シソーラス用語： ミストCVD法 ,  Al酸化物 ,  *アルミナ基板 ,  配向性 ,  エピタキシャル成長 ,  XRD

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ミストCVD法 ,  α-AL2O3 ,  薄膜 ,  成長