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J-GLOBAL ID：201702276861736291   整理番号：17A0662543

GaN Schottky金属-アンモニアMBE法によるSi(111)上に成長した半導体-金属紫外光検出器【Powered by NICT】

GaN Schottky Metal-Semiconductor-Metal UV Photodetectors on Si(111) Grown by Ammonia-MBE

著者 (9件)： Ravikiran Lingaparthi (Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Radhakrishnan K. (Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Dharmarasu Nethaji (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Agrawal Manvi (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Wang Zilong (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Bruno Annalisa (Singapore-Berkeley Research Initiative for Sustainable Energy, Energy Research Institute@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Soci Cesare (Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Lihuang Tng (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Ang Kian Siong (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 17  号： 1  ページ： 72-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系紫外(UV)光検出器の開発のために,GaN(600 nm)/AlN(200 nm)からなる簡単なエピ層構造は,アンモニア分子ビームエピタクシー成長法を用いて100mm Si基板上に成長させた。エピ層は亀裂のないし,良好な表面品質と光学品質を示した。Ni/Au金属層を用いて作製した,金属-半導体-金属(MSM)交差指Schottkyベース接触は15Vで0.43nAの低い暗電流を示した。印加バイアスの関数としての暗電流の解析は主要な電流伝導機構は0.902eVのSchottky障壁を越える熱電子放出によるものであったことを明らかにした。さらに,Schottky障壁はバイアス,デバイスにおける鏡像力減少に起因していたが低減することが分かった。MSMデバイスはUV/可視拒絶比170の362nmの入射波長で0.183 2A/Wのピーク応答性を示した。ピーク応答性は外部量子効率~70%に相当した。デバイスは,7V以上の良好な直線性と印加バイアスのための入力電力でほとんど平坦な応答性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *紫外線 ,  バイアス ,  *窒化ガリウム ,  Schottky障壁 ,  表面性状 ,  応答特性 ,  MBE成長 ,  *アンモニア ,  熱電子放出 ,  *光検出器 ,  *ケイ素 ,  *半導体 ,  暗電流
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  アンモニア ,  MBE ,  Si ,  成長 ,  紫外光 ,  検出器