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J-GLOBAL ID:201702277129699145   整理番号:17A0369672

CBD法により作製したCdS薄膜の構造,光学及び電気特性に及ぼす基板とZnドーピングの影響【Powered by NICT】

Effect of substrate and Zn doping on the structural, optical and electrical properties of CdS thin films prepared by CBD method
著者 (4件):
資料名:
巻: 691  ページ: 399-406  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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CdSは,光起電力応用のための重要かつ有用な材料である。本論文では,純粋なCdSおよびZnドープCdS(CdS:Zn)薄膜を,化学浴堆積(CBD)法を用いてガラス及びITO基板上に作製した,結晶化挙動に及ぼす基板とZn濃度の影響,およびX線回折,原子間力顕微鏡,X線光電子分光,Raman散乱,紫外可視分光光度計,輸送測定システムによるCdS薄膜の光学的および電気的性質を系統的に調べた。結果はどのような基板を使用した,ガラスまたはITO基板,CdS薄膜の結晶構造は優先方位として(002)を持つ六方晶相が常に存在するかどうかを示さなかった。またITO基板上に堆積したCdS薄膜は良好な結晶性を有し,その形態は非常にコンパクトで均一性。薄膜のドーピングのために,結果は,Zn元素はCdS薄膜の格子中にドープすることに成功し,(002)回折ピークの位置はZn濃度の増加とともに26.6°から26.97°まで単調にシフトすることを明らかにした。最後に,光学的および電気的性質を検討した。CdS:Zn薄膜の光学バンドギャップは純粋なCdS薄膜のそれよりも大きく,適切なZnドーピングは薄膜の電気伝導率を改善することができる。著者らの結果は,CBD法により作製したCdS:Zn薄膜は,オプトエレクトロニクスデバイスへの応用に適しているかもしれないことを示す,テルル化カドミウム及び銅亜鉛スズ硫化物太陽電池の窓層として。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  半導体薄膜 

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