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J-GLOBAL ID：201702277269238851   整理番号：17A0125132

フェムト秒レーザパルスを照射したGeの超高速動的過程【Powered by NICT】

Ultrafast dynamical process of Ge irradiated by the femtosecond laser pulses

著者 (6件)： Zhang Fangjian (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Li Shuchang (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Chen Anmin (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Jiang Yuanfei (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Li Suyu (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University) ,  Jin Mingxing (Institute of Atomic and Molecular Physics, Jilin University)
資料名： Gao Gonglu Jiguang Kexue Yu Gongcheng  (Gao Gonglu Jiguang Kexue Yu Gongcheng)
巻： 4  号： 2  ページ： e12-1-e12-9  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2834A  ISSN： 2095-4719  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェムト秒レーザパルスにより照射された半導体Geにおける超高速動的過程はvan Drielシステムに基づいて数値的にシミュレートした。深さの増加とともに,キャリア密度と格子温度は減少したが,キャリア温度は最初に増加し,次に低下した。レーザフルエンスは,Ge中の超高速動的過程に大きな影響を及ぼす。レーザフルエンスが一定値であるとして,キャリア密度と格子温度の総体的展開は,パルス持続時間とレーザ強度にほとんど依存しないが,レーザ強度を増加させるキャリアの生成におけるパルス幅の増大より有効であろう。フェムト秒二重パルスによるGe試料を照射すると,半導体の超高速動的過程は,二重パルス間の時間的間隔によって影響を受ける可能性がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フェムト秒 ,  半導体 ,  *パルス ,  キャリア密度 ,  パルス幅 ,  *ゲルマニウム ,  *レーザ ,  *フェムト秒レーザ ,  キャリア
準シソーラス用語： レーザフルエンス ,  格子温度 ,  *超高速 ,  *フェムト秒レーザパルス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： キャリア ,  エネルギー移動 ,  フェムト秒レーザ ,  格子 ,  半導体

分類 (1件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (3件)： フェムト秒レーザパルス ,  Ge ,  過程