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J-GLOBAL ID：201702277276824409   整理番号：17A0759458

p型SiCへのTi/Alベース接触とパワーデバイス応用のためのGaN【Powered by NICT】

Ti/Al-based contacts to p-type SiC and GaN for power device applications

著者 (12件)： Roccaforte F. (CNR-IMM, Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Vivona M. (CNR-IMM, Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Greco G. (CNR-IMM, Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Lo Nigro R. (CNR-IMM, Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Giannazzo F. (CNR-IMM, Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Di Franco S. (CNR-IMM, Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Bongiorno C. (CNR-IMM, Strada VIII, n. 5 - Zona Industriale, 95121 Catania, Italy) ,  Iucolano F. (STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy) ,  Frazzetto A. (STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy) ,  Rascuna S. (STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy) ,  Patti A. (STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy) ,  Saggio M. (STMicroelectronics, Stradale Primosole 50, 95121 Catania, Italy)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600357  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型ワイドバンドギャップ(WBG)半導体SiCとGaNへの金属接触(Schottkyあるいはオーミック)はパワーデバイス技術にとって重要である。本研究では,p型4H-SiCとp型GaNへのTi/Alベース接触特性を報告する,様々な技術とテストパターンを用いてモニターした。特に,p型SiCの場合には,Ti/AlとTi/Al/W接触は900 1100°C(ρ_c≒1.5 6×10~ 4Ωcm~2)でのアニーリング後に優れたOhm挙動を示し,界面及びスタックにおけるTi及びAl含有相の形成に起因していた。Ni基接触に関してより低いρ_cのために,Ti/Alは4H-SiCp-n接合における順方向電圧降下の低減を可能にした。一方,p型GaNの場合には,Ti/Al接触はNi接触に比べてより高い障壁高さ(2.08 eV)を示した。,高電子移動度トランジスタ(HEMT)におけるSchottkyゲートとして有望であることができる。しかし,温度依存電気測定は,障壁高さの低下を明らかにした800°Cでのアニーリングにより1.60eVまで,試験ダイオードにおける漏れ電流の増加が見られた。この結果はp-GaNゲートを有するノーマリーオフH EMTの作製のためのTi/Alゲート電極の実用化のための重要な指標を提供した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： HEMT ,  漏れ電流 ,  ニッケル ,  Schottky障壁 ,  温度依存性 ,  焼なまし ,  *炭化ケイ素 ,  電圧降下 ,  アルミニウム ,  電気測定 ,  ダイオード ,  *チタン ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  4H-SiC ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 4H-SiC ,  アルミニウム ,  GaN ,  Ohm接触 ,  Schottky障壁 ,  チタン

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  Al ,  パワーデバイス ,  応用 ,  GaN