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J-GLOBAL ID:201702277364316425   整理番号:17A0311322

高電界効果移動度半導体のための有機分子の設計と合成【Powered by NICT】

Design and elaboration of organic molecules for high field-effect-mobility semiconductors
著者 (4件):
資料名:
巻: 217  ページ: 68-78  発行年: 2016年07月 
JST資料番号: C0123B  ISSN: 0379-6779  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,これまでに報告されたいくつかの高移動度有機半導体,アセン,ヘテロアセン,リレンジイミドなどに焦点を当て,高い電界効果移動度半導体のための分子の合成のための設計戦略の理解を増強する,分子サイズ,π拡張のようにして,ヘテロ原子,分子形状,および置換基を含む分子と超分子因子を抽出した。これらの有機半導体の詳細な検査を行った後,固体状態での大きな軌道重なりをもつ二次元(2D)電子構造の構築が鍵であるという結論に到達した。これは,これらの分子的因子を調整することによって実現できる例えば,縮合芳香族環構造,ヘテロ原子取込,および2Dパッキングのための適切な置換基の使用と共に直線的にπ-拡張システムの使用,ヘリングボーンまたは2D煉瓦層充填である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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トランジスタ 
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