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J-GLOBAL ID：201702277546232224   整理番号：17A0755401

7nmノードを超える横方向ナノワイヤスケーリングの限界【Powered by NICT】

Limitations on Lateral Nanowire Scaling Beyond 7-nm Node

著者 (8件)： Das Uttam Kumar (imec, Leuven, Belgium) ,  Garcia Bardon M. (imec, Leuven, Belgium) ,  Jang D. (imec, Leuven, Belgium) ,  Eneman G. (imec, Leuven, Belgium) ,  Schuddinck P. (imec, Leuven, Belgium) ,  Yakimets D. (imec, Leuven, Belgium) ,  Raghavan P. (imec, Leuven, Belgium) ,  Groeseneken Guido (imec, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 9-11  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らは,ワイヤ直径を7nmから5nmまでの横方向ナノワイヤトランジスタ(LNW)性能に及ぼす影響を調べた。技術スケーリングが続くにつれて,LNWデバイスサイズは7nm以降のためにここでスケールした。北西のゲート長の低減デバイスの静電制御の大きな劣化の原因となる。分解静電は,ワイヤ直径を減少させることにより改善された。DCおよびリング発振器ベンチマークをTCADベースコンパクトモデルを用いたサブ,7nmノードのための異なるNWサイズに対して実行した。mV/decadeサブしきい値勾配改善前後のゲート長10nmの5nm直径ベースLNWを用いた7nm直径LNWと比較して観察された。が,5nm直径ベースデバイスのための改良された性能の可能性をもたらす。NW素子,5nmワイヤ直径と10nmゲート長をいくつかの領域利得を提供することができる。5nm直径のデバイスは,チャネル閉じ込めを増加させ,減少した駆動電流と寄生増加に起因したが,全デバイス速度が7nm直径デバイスに遅れた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： リング発振器 ,  利得 ,  *金属線 ,  ベンチマーク ,  チャネル
準シソーラス用語： 駆動電流 ,  サブ閾値 ,  TCAD ,  ゲート長 ,  ナノワイヤトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ノード ,  横方向 ,  限界