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J-GLOBAL ID：201702277669386685   整理番号：17A0204757

抵抗メモリ研究の進展【JST・京大機械翻訳】

Research progresses of resistive random access memory

著者 (4件)： Long Shibing (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM)) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM)) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM)) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials (SICAM))
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107311-1-107311-27  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 抵抗(RANDOM RANDOM ACCESS MEMORY, RRAM)は最も応用性のある次世代不揮発性メモリの一つである。従来のフローティングゲートと比較して,この方法は,デバイス構造,速度,こと,三次元統合可能性などの面で明白な利点を有しており,RRAM技術について概説した。まず第一に,抵抗の動作原理,技術的利点,開発プロセス,および基本的科学的問題について簡単に紹介した。次に,固体電解質,多金属酸化物,二元金属酸化物の3種類の従来の抵抗材料を含むRRAMの材料系を要約し,RRAMの応用におけるナノワイヤと二次元材料の最近の進歩を要約した。本論文では,絶縁材料/平面電極/ナノ電極/側面電極,界面インターカレーションによって引き起こされる微縮性,,の安定性,および安定性に及ぼす絶縁材料/導電性材料の影響を分析した。細Si型抵抗の3つの物理的メカニズムを要約し,解析した。熱化学的機構(THERMOCHEMICAL MECHANISM,TCM),電気化学的金属化(ELECTROCHEMICAL METALLIZATION,ECM)機構,原子価変化機構(VALENCE CHANGE MECHANISM,VCM)。3つの機構の基本原理,基本的電気的性質,透過型電子顕微鏡観察の鍵となる実験的検証,および抵抗機構の認識発展過程を詳細に分析した。抵抗機構の分析に基づき、RRAMの抵抗変化過程におけるナノスケールの材料の微細構造とバンド構造の変化によるいくつかの新奇な物理現象を紹介し、量子効果、磁気電気効果、光電効果などを含む。最後に,RRAMの実用化のための鍵となる統合技術を紹介し,記憶装置の構造,二次元/三次元統合などのいくつかの重要な問題とその研究の進展を分析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 三次元 ,  界面 ,  固体電解質 ,  不揮発性メモリ ,  メタライゼーション ,  *絶縁材料 ,  磁気電気効果 ,  インターカレーション ,  電気化学 ,  導体材料 ,  ナノワイヤ ,  二次元 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： ナノスケール ,  透過型電子顕微鏡法 ,  ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： resistive random access memory (RRAM) ,  resistive switching materials ,  resistive switching mechanism ,  conductive filament (CF) ,  3D integration ,  selector

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 抵抗メモリ ,  研究 ,  進展