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J-GLOBAL ID：201702277804384652   整理番号：17A0345842

GANベースHEMT構造に基づくセンサの研究進展【JST・京大機械翻訳】

Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure

著者 (5件)： Zhu Yanxu (Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  Wang Yuehua (Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  Song Huihui (Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  Li Lailong (Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology) ,  Shi Dong (Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 37  号： 12  ページ： 1545-1553  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GANベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,ヘテロ接合界面における二酸化炭素(2DEG)の濃度,バンドギャップ,バンドギャップ電圧,安定な化学的性質,および高い電子移動度を有する。これらの特性は,開発されたセンサの感度,応答速度,検出面,適応環境において顕著な利点を有している。本論文では、まずGANベースHEMTの基本構造が発展した二種類の研究の成熟したセンサーについて、その構造、作動メカニズム、仕事の進展及びメリットとデメリットについて検討と総括を行った。その後、デバイス材料及びゲート構造とゲート材料の角度を変えることにより、3種類のGANベースHEMTの新型センサーの最新進展を述べ、その中、材料体系、キープロセス、検出構造、原理及び新メカニズムから重点的にGANベースHEMT検出器を紹介した。最後に,GANベースHEMTの将来の開発方向を検討した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二酸化炭素 ,  *センサ ,  検出器 ,  二次元電子ガス ,  ヘテロ接合 ,  バンドギャップ ,  界面 ,  電圧 ,  *HEMT
準シソーラス用語： 応答速度 ,  電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaN heterojunction ,  2DEG ,  GaN-based HEMT sensor ,  gate structure ,  photodetector

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  HEMT ,  研究 ,  進展