酸素プラズマ処理を用いた埋込みゲート準エンハンスメントモードAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】

He Yunlong; Wang Chong; Mi Minhan; Zheng Xuefeng; Zhang Meng; Zhao Mengdi; Zhang Hengshuang; Chen Lixiang; Zhang Jincheng; Ma Xiaohua; Hao Yue

文献

J-GLOBAL ID：201702277902260224 整理番号：17A0302118

酸素プラズマ処理を用いた埋込みゲート準エンハンスメントモードAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】

Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with oxygen plasma treatment

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資料名：
巻： 25 号： 11 ページ： 117305_01-117305_06 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：英語 (EN)

本論文では,低損傷ゲートエッチング最適化酸素プラズマ処理と組み合わせたエンハンスメントモードAlGaN/GaNH EMTを作製した。走査電子顕微鏡/エネルギー分散型分光計(SEM/EDS)法とX線光電子分光(XPS)法を用いて,酸化物の形成を確認した。実験結果に基づいて,得られたエンハンスメントモードH EMTは,0.5Vのしきい値電圧,210mS/mmのピーク相互コンダクタンス,及び4Vのゲートバイアスにおける最大ドレイン電流610mA/mmを示した。一方,エンハンスメントモードH EMTのオン/オフ電流比は10~8と高く,ドレイン誘起障壁低下(DIBL)は5mV/Vであり,80mV/decadeのサブしきい値スイング(SS)が得られた。従来のHEMTと比較して,エンハンスメントモードH EMTのSchottky逆電流は三桁低く,のオフ状態破壊電圧は高かった。さらに,エンハンスメントモードH EMTの電力利得カットオフ周波数(f(max))はこれまでのものよりも大きかった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

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トランジスタ

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