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J-GLOBAL ID：201702277941973079   整理番号：17A0442123

SiO_2繊維テンプレート上の多孔質ほう素をドープしたダイヤモンドの作製【Powered by NICT】

Fabrication of porous boron-doped diamond on SiO₂ fiber templates

著者 (13件)： Petrak Vaclav (Czech Technical University in Prague, Faculty of Biomedical Engineering Sitna sq. 3105, Kladno, 272 01, Czech Republic) ,  Petrak Vaclav (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 2, 182 21, Praha 8, Czech Republic) ,  Vlckova Zivcova Zuzana (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry of the AS CR, v. v. i., Dolejskova 3, 182 23, Prague 8, Czech Republic) ,  Krysova Hana (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry of the AS CR, v. v. i., Dolejskova 3, 182 23, Prague 8, Czech Republic) ,  Frank Otakar (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry of the AS CR, v. v. i., Dolejskova 3, 182 23, Prague 8, Czech Republic) ,  Zukal Arnost (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry of the AS CR, v. v. i., Dolejskova 3, 182 23, Prague 8, Czech Republic) ,  Klimsa Ladislav (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 2, 182 21, Praha 8, Czech Republic) ,  Kopecek Jaromir (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 2, 182 21, Praha 8, Czech Republic) ,  Taylor Andrew (Czech Technical University in Prague, Faculty of Biomedical Engineering Sitna sq. 3105, Kladno, 272 01, Czech Republic) ,  Taylor Andrew (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 2, 182 21, Praha 8, Czech Republic) ,  Kavan Ladislav (J. Heyrovsky Institute of Physical Chemistry of the AS CR, v. v. i., Dolejskova 3, 182 23, Prague 8, Czech Republic) ,  Mortet Vincent (Czech Technical University in Prague, Faculty of Biomedical Engineering Sitna sq. 3105, Kladno, 272 01, Czech Republic) ,  Mortet Vincent (Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 2, 182 21, Praha 8, Czech Republic)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 114  ページ： 457-464  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ドープダイヤモンド(BDD)は電気化学で十分に確立された材料となっている。,特に薄膜,BDDの多くの応用は,比表面積の増加から利益を得るであろう。安定なBDD多孔質表面は比表面積の増加をもたらすを製造するための簡単で再現性のある方法を提示した。多孔質膜を作製するために,BDDを被覆した電気紡糸SiO_2繊維はドクターブレードおよびスピンコーティング法を用いた平面BDD膜の頂部上に作製した。BDDの堆積をマイクロ波プラズマ増強化学蒸着法を用いて行った。成長した多孔質BDD層を,走査電子顕微鏡とRaman分光法によって特性化した。さらに,比表面積はサイクリックボルタンメトリーを用いてBrunauer-Emmett-Teller法で評価したKr吸着等温線から決定した。約7mF/cm~2の最も高い静電容量値をフッ化水素酸でテンプレートSiO_2繊維の除去後のドクターブレードコーティングにより作製した多孔質BDDで見られた。電気化学的サイクル安定性は定電流充電/放電により決定される。電荷保持は3000サイクル後85%であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スピンコーティング ,  Raman分光法 ,  再現性 ,  *ホウ素 ,  吸着等温式 ,  電気化学 ,  *ドーピング ,  静電容量 ,  プラズマCVD ,  サイクリックボルタンメトリー ,  エレクトロスピニング ,  *ダイヤモンド ,  走査電子顕微鏡 ,  比表面積 ,  *多孔性

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 繊維 ,  テンプレート ,  多孔質 ,  ほう素 ,  ドープ ,  ダイヤモンド ,  作製