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J-GLOBAL ID：201702277943065047   整理番号：17A1390944

ヘリウム入射イオンエネルギーのパルス的変化がタングステンナノ構造成長に与える影響

著者 (6件)： 河口翔太 (名大 院) ,  梶田信 (名大 未来研) ,  HWANGBO Dogyun (名大 院) ,  大野哲靖 (名大 院) ,  田中宏彦 (名大 院) ,  増崎貴 (核融合研)
資料名： 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集(CD-ROM)  (電気学会基礎・材料・共通部門大会(CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.19-P-14  発行年： 2017年09月19日 
JST資料番号： L3783B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： タングステン ,  ナノ構造 ,  *スパッタリング ,  入射 ,  エネルギー ,  イオン ,  パルス ,  *薄膜成長

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘリウム ,  イオンエネルギー ,  パルス ,  タングステン ,  ナノ構造 ,  成長