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J-GLOBAL ID：201702278122216730   整理番号：17A0448480

室温での二酸化硫黄の1000000モニタリング当たり低部品のための多段階還元グラフェン酸化物に基づく化学抵抗ガスセンサの作製【Powered by NICT】

Fabrication of chemiresistive gas sensors based on multistep reduced graphene oxide for low parts per million monitoring of sulfur dioxide at room temperature

著者 (3件)： Kumar Ramesh (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, 110007, India) ,  Avasthi D.K. (Directorate of Engineering and Technology, Amity University Campus, Noida, 201313, U.P., India) ,  Kaur Amarjeet (Department of Physics and Astrophysics, University of Delhi, Delhi, 110007, India)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 242  ページ： 461-468  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン酸化物の提案された多段階還元は二段階還元プロセスを含んでいる。グラフェン酸化物をヒドラジン水和物とそれに続く低エネルギー窒素イオンビーム注入法によるさらなる減少により減少した。Ramanスペクトルから,グラフェン酸化物試料の還元はTuinstraとKoenig関係に基づいて推定した。FT-IR研究は,還元に及ぼすエポキシ,ヒドロキシルおよびカルボキシルのような酸素官能基の除去を示した。イオン注入は還元に及ぼす酸化グラフェンの増強された電気伝導率と比表面積を有していた。減少のほかに,第二段階は試料の表面形態,ガス吸着のためのより適切な製造を改良した。より高い注入線量(10~15ions/cm~2)を持つ試料は,合理的な応答,選択性と安定性を有する5ppmの低ppmレベルで室温化学抵抗SO_2ガスセンサのための有望な可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン注入 ,  Ramanスペクトル ,  *二酸化硫黄 ,  電気伝導率 ,  窒素 ,  酸素 ,  *ガスセンサ ,  比表面積 ,  イオンビーム
準シソーラス用語： ガス吸着 ,  表面形態 ,  官能基 ,  低エネルギー ,  ヒドラジン水和物 ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 還元された酸化グラフェン ,  ガスセンサ ,  センシング機構

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 室温 ,  二酸化硫黄 ,  モニタリング ,  段階 ,  還元グラフェン酸化物 ,  化学 ,  ガスセンサ ,  作製