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J-GLOBAL ID：201702278139663181   整理番号：17A0759436

スズビスマス酸化物薄膜トランジスタにおける不斉接触【Powered by NICT】

Asymmetric contact in tin bismuth oxide thin film transistors

著者 (5件)： Yang Jianwen (Department of Materials Science, National Engineering Lab of TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, 200433 Shanghai, P. R. China) ,  Han Yanbing (Department of Materials Science, National Engineering Lab of TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, 200433 Shanghai, P. R. China) ,  Fu Ruofan (Department of Materials Science, National Engineering Lab of TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, 200433 Shanghai, P. R. China) ,  Ren Jinhua (Department of Materials Science, National Engineering Lab of TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, 200433 Shanghai, P. R. China) ,  Zhang Qun (Department of Materials Science, National Engineering Lab of TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, 200433 Shanghai, P. R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600589  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (a TBO)非晶質ビスマスドープしたスズ酸化物のソース/ドレイン電極の電気的接触の影響薄膜トランジスタ(TFT)を研究した。ソース/ドレイン接触は,TFT性能,異なるプロセス配列をもつTFTによって確認されたに明らかな影響を与える。電極が,アニーリングプロセス後に堆積した場合,ゲート電圧がドレイン電流を制御できず,チャネル層はノーマリオン特性を示した。しかし,堆積プロセスはアニーリングプロセスの前に,TFTは非常に良好なスイッチング特性を示した。ITO電極の性質に及ぼす焼なましの影響に基づいて,ソース電極とチャネル層との間の非対称接触はTBO TFTの性能に重要な役割を果たしていると結論した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  非晶質 ,  チャネル ,  *スズ ,  非対称性 ,  酸化スズ ,  *酸化ビスマス ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： ITO電極 ,  スイッチング特性 ,  ドレイン電流 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： アニーリング ,  非対称接触 ,  ビスマス ,  ドーピング ,  薄膜トランジスタ ,  酸化すず

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： スズ ,  ビスマス酸化物 ,  薄膜トランジスタ