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J-GLOBAL ID:201702278167940999   整理番号:17A0353932

ABX_3型太陽電池材料の構造ドーピングと最適化のDFT研究【JST・京大機械翻訳】

DFT MODELING OF ABX_3 TYPE PEROVSKITE DOPING STRUCTURES
著者 (6件):
資料名:
巻: 37  号: 12  ページ: 3086-3090  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0629A  ISSN: 0254-0096  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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第一原理法を用いて,ABX_3ペロブスカイト材料を最適化した。Aサイト(A=CH_3NH_3+,CH(NH_2)_2+,(CH_3)_2NH_2+,(CH_3)_3NH+,(CH_3)_4N+),Bサイト(B=PB(2+),SN(2+)),Xサイト(X=CL-,BR-,I)は,異なる比率で置換または置換した。結晶構造安定性とバンドギャップに及ぼす位置置換の影響を系統的に検討し,これに基づいて材料のスクリーニングを行い,より優れた性能を持つABX_3型置換材料を探索した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (5件):
分類 (3件):
分類
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半導体結晶の電子構造  ,  半導体薄膜  ,  分子の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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