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J-GLOBAL ID：201702278208277486   整理番号：17A0412395

内部光電子放出分光法による極薄Pt/ZrO_2~-Al_2O_3 ZrO_2/TiN DRAMキャパシタSchottky障壁高さの研究【Powered by NICT】

Investigation of ultrathin Pt/ZrO₂-Al₂O₃-ZrO₂/TiN DRAM capacitors Schottky barrier height by internal photoemission spectroscopy

著者 (8件)： Lee Sang Yeon (Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 16499, South Korea) ,  Chang Jaewan (Samsung Electronics, 1, Samsungeonja-ro, Hwasung-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea) ,  Choi Jaehyung (Samsung Electronics, 1, Samsungeonja-ro, Hwasung-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea) ,  Kim Younsoo (Samsung Electronics, 1, Samsungeonja-ro, Hwasung-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea) ,  Lim HanJin (Samsung Electronics, 1, Samsungeonja-ro, Hwasung-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea) ,  Jeon Hyeongtag (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea) ,  Seo Hyungtak (Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 16499, South Korea) ,  Seo Hyungtak (Department of Materials Science and Engineering, Ajou University, Suwon 16499, South Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 2  ページ： 267-271  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光伝導収率とIPE分光法を用いた内部光電子放出(IPE)収率を解析することによりPt/ZrO_2~-Al_2O_3 ZrO_2(ZAZ)/TiNダイナミックランダムアクセスメモリコンデンサにおける金属-絶縁体界面でのSchottky障壁高さ(SBH)を報告した。Pt/ZAZ/TiNスタックにおけるPt/ZAZとZAZ/TiN界面でのSBH値は2.77と2.18eVであることが分かった。トップ電極/酸化物と底部電極/酸化物界面間のSBH差異はPtとTiN間の仕事関数差,与えられた誘電体のサブギャップ欠陥状態特性(密度とエネルギー)に関連している。膜レベルでのデバイスレベルと紫外光電子分光法と分光偏光解析法でのIPEを用いて実験的解析を組み合わせることにより,バンド構造モデルを提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  仕事関数 ,  *スペクトロスコピー ,  光伝導 ,  *DRAM ,  絶縁材料 ,  *白金 ,  *コンデンサ ,  界面 ,  *光電子放出 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 分光偏光解析法 ,  UPS【電子分光】 ,  サブギャップ ,  *窒化チタン ,  *Schottky障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： MIMキャパシタ ,  内部光電子放出分光法 ,  Schottky障壁の高さ

分類 (5件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  燃料電池  (YB04040V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光電子放出 ,  分光法 ,  Pt ,  TiN ,  DRAM ,  キャパシタ ,  Schottky障壁高さ ,  研究