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J-GLOBAL ID：201702278310870748   整理番号：17A0275439

PVインバータ応用における1200V SiC MOSFET T型モジュールの短絡保護【Powered by NICT】

Short-circuit protection of 1200V SiC MOSFET T-type module in PV inverter application

著者 (5件)： Shi Yuxiang (Center for Advanced Power System, Florida State University, Tallahassee, FL, USA) ,  Xie Ren (Center for Advanced Power System, Florida State University, Tallahassee, FL, USA) ,  Wang Lu (Center for Advanced Power System, Florida State University, Tallahassee, FL, USA) ,  Shi Yanjun (Center for Advanced Power System, Florida State University, Tallahassee, FL, USA) ,  Li Hui (Center for Advanced Power System, Florida State University, Tallahassee, FL, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFETのための市販のドライバを用いたde sat基づく短絡保護方式を提示し,本論文で1200V3レベルT型SiC MOSFETモジュールについて実験的に検証した。応答時間は限られて短絡耐時間(SCWT)によるSiC MOSFETの短絡保護にとって極めて重要である。ソフトターンオフは,故障電流のターンオフ中の高電圧スパイクを避ける必要がある。提示した回路により,600ns応答時間を実現し,ゲート電圧クランピングを持つ二段ソフトターンオフ回路を実現した。スイッチング損失に影響を与えずにゲート電圧安定化回路も誤トリガを防ぐために提案した。de sat保護方式は,分岐電圧の極性変化によるT型モジュールの中性分枝に適用できないので,中性分枝の短絡保護は,ハーフブリッジ装置保護を実現した。1kV PV応用における1200V T型SiCモジュールのための詳細回路設計を記述し,実験結果は,回路の有効性を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 故障電流 ,  電圧安定化 ,  *MOSFET ,  ターンオフ ,  電圧 ,  回路設計 ,  極性 ,  応答時間 ,  スイッチング損失 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： ハーフブリッジ ,  中性 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (8件)： PV ,  インバータ ,  応用 ,  SiC ,  MOSFET ,  T型 ,  モジュール ,  短絡