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J-GLOBAL ID：201702278712914458   整理番号：17A0754135

摩擦試験における機械的および電気的性質に及ぼすIGZO/グラフェン+Ni/SiO-2/Siウエハ試験片におけるIGZO膜とグラフェン層の成膜パワーの影響【Powered by NICT】

Effects of deposition power of IGZO film and graphene layer in IGZO/graphene+Ni/SiO₂/Si wafer specimens on the mechanical and electrical properties in tribotests

著者 (6件)： Li Tse-Chang (Department of Mechanical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan) ,  Nguyen Ba-Son (Faculty of Mechatronics - Electronics, Lac Hong University, 10 Huynh Van Nghe Road, Bienhoa, Vietnam) ,  Chiang Yu-Ching (Department of Mechanical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan) ,  Hsiao Ching-Lin (Department of Mechanical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan) ,  Lin Jen-Fin (Department of Mechanical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan) ,  Lin Jen-Fin (Center for Micro/Nano Science and Technology, National Cheng Kung University, Tainan 701, Taiwan)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 315  ページ： 44-60  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,インジウムガリウム亜鉛オキシド(IGZO)膜を6080および100Wの蒸着電力を有するグラフェン+Ni/SiO_2/Siウエハ試験片上に堆積した。グラフェン+Ni層中に形成された微細構造と空格子点欠陥に及ぼす蒸着パワーの影響は入手のままの試料の電気的および機械的性質に基づいて評価した。微小亀裂を持つIGZO膜の電気抵抗に及ぼすグラフェン+Ni膜の役割と挙動は,摩擦試験機を用いて評価した。試料接触面に垂直な方向の加速度,a_y,摩耗表面の形態と脳卒中における摩擦係数の変化は発作,スティックスリップ運動,なじみ運転不安定性を含むそれらの摩耗様式を同定することを示した。数スイングサイクルを適用した後,グラフェン配向に関してNi結晶の回転角はサイクル数の増加と共に増加した。平均微小亀裂長さは,回転角の増加と共に増加した。しかし,試料の電気抵抗はIGZO膜を持つグラフェン層の結合が維持される限り微小亀裂長さを増加させることによって増加しない。蒸着出力の増加はグラフェン+Ni層中のヒロックの成長を促進した。これらのヒロックは,グラフェン+Ni層は不均一な膜厚を持つ凸とグラフェン+Ni層中のボイド欠陥をもたらし,それらは比較的大きな平均表面粗さと高い摩擦係数を持つIGZO膜を引き起こす。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 蒸着 ,  *摩擦試験 ,  回転角 ,  摩擦係数 ,  微細構造 ,  表面粗さ ,  不安定性 ,  摩耗 ,  *ニッケル ,  *グラフェン ,  膜厚 ,  微小亀裂 ,  酸化物
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： グラフェン層 ,  Tribotest ,  IGZO膜 ,  ヒロック ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 摩擦試験 ,  電気的性質 ,  IGZO ,  グラフェン ,  SiO ,  Siウエハ ,  試験片 ,  成膜 ,  パワー