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J-GLOBAL ID：201702278729153605   整理番号：17A0696908

フレキシブル不揮発性メモリデバイスのための還元グラフェン酸化物の共有結合グラフトしたBODIPY系共役重合体【Powered by NICT】

BODIPY-based conjugated polymer covalently grafted reduced graphene oxide for flexible nonvolatile memory devices

著者 (7件)： Sun Sai (Key Laboratory for Advanced Materials and Shanghai Key Laboratory of Functional Materials Chemistry, Institute of Applied Chemistry, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, China) ,  Zhuang Xiaodong (College of Chemistry and Chemical Engineering, Shanghai Jiaotong University, 800 Dongchuan Rood, Shanghai 200240, China) ,  Zhuang Xiaodong (Center for Advancing Electronics Dresden and Department of Chemistry and Food Chemistry, Dresden University of Technology, Mommsenstrasse 4, 01062 Dresden, Germany) ,  Wang Luxin (Key Laboratory for Advanced Materials and Shanghai Key Laboratory of Functional Materials Chemistry, Institute of Applied Chemistry, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, China) ,  Liu Bo (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, CAS, 865 Changning Road, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Bin (Key Laboratory for Advanced Materials and Shanghai Key Laboratory of Functional Materials Chemistry, Institute of Applied Chemistry, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, China) ,  Chen Yu (Key Laboratory for Advanced Materials and Shanghai Key Laboratory of Functional Materials Chemistry, Institute of Applied Chemistry, East China University of Science and Technology, 130 Meilong Road, Shanghai 200237, China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 116  ページ： 713-721  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンメモリのデータ貯蔵性能,安定性と信頼性は,実用的な情報蓄積応用に向けて有意に進めてきた。二次元テンプレートとして高度に分散した4 ブロモベンゼン官能化RGO(BB RGO)を用いて,新しいポリ[(1,4-ジエチニルベンゼン)-alt-ホウ素dipyrro-メテン]グラフト化還元グラフェン酸化物(PDBD g RGO)をSonogashiraカップリング反応により合成した。BB RGOのRamanスペクトルと比較した場合,BB RGO上にPDBDの共有結合グラフト化は,Dバンドの34cm~ 1青方偏移とGバンドのcm~ 1赤方偏移を生じさせた。Al/PDBD g RGO/ITO被覆ポリ(エチレンテレフタレート)(PET)の配置を持つ透明で柔軟な不揮発性メモリデバイスは,消去,再プログラム,ターンオンとターンオフ電圧1.55と 1.80V,10~5を超えるオン/オフ電流比をもつ電気的にできることを書き換え可能メモリの典型的な貯蔵性能を示した。フレキシブル素子のメモリ挙動を曲げ試験下でほとんど変化しなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 官能化 ,  *共有結合 ,  *不揮発性メモリ ,  ターンオフ ,  *移植片 ,  *記憶装置 ,  青方偏移 ,  *還元 ,  Sonogashira反応 ,  赤方偏移 ,  Ramanスペクトル ,  データ蓄積 ,  ターンオン
準シソーラス用語： 書き換え可能メモリ ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不揮発性メモリ ,  還元グラフェン酸化物 ,  共有結合 ,  グラフト ,  BODIPY ,  共役重合体