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J-GLOBAL ID:201702278876651129   整理番号:17A0115844

パス当り種々のコンベヤ速度を持つ電子照射を受けた市販GaN LEDの電気的特性評価【Powered by NICT】

Electrical Characterization of Commercial GaN LEDs Subjected to Electron Radiation with Different Conveyor Speed per Pass
著者 (4件):
資料名:
巻: 2016  号: ICCCE  ページ: 373-377  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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商業的に作製した窒化物ベース発光ダイオード(LED)を高温耐性と破壊強度のその魅力的な材料特性に起因して興味を持たれ,それは極端な環境で使用されるに適している。,著者らの焦点は,1000kGyに供せられた商用窒化ガリウム(GaN)の電気的特性化であり,コンベア速度と電子照射の1500kGyの線量はパス当たり100kGyおよび50kGyに適合させた。照射の前後で市販のGaN LEDの容量-電圧(C V)および電流-電圧(I V)特性を研究した。I-V測定は電流の存在しないを示し,C-V測定はパス当たり100kGyのコンベヤ速度で両用量レベルで照射した後の容量の存在を示し,これは開回路問題を示唆していた。しかし,パス当たり50kGyのコンベア速度と線量の同じ量で照射されたLEDは逆方向漏れ電流の増加を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
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半導体-金属接触  ,  ダイオード  ,  発光素子 

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