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J-GLOBAL ID：201702278878886953   整理番号：17A0204195

AlGaAs/InGaAs仮像高電子移動度トランジスタを用いた鉛イオンの検出【Powered by NICT】

Detection of lead ions with AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor

著者 (8件)： Niu Jiqiang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Guan Min (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Chengyan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Cui Lijie (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Qiumin (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Yiyang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zeng Yiping (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 11  ページ： 114003-1-114003-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉛中毒は深刻な環境問題,健康への脅威である。既存技術はいくつかの欠点,それらの適用範囲を制限することを持ち,実時間モニタリングに用いられる。この問題を解決するために,グルタチオンは痕跡量Pb(2+)を検出するための仮像高電子移動度トランジスタ(pHEMT)のAu被覆ゲート領域に官能化した。鉛イオンの正電荷はpHEMTセンサのAuゲート,ソースとドレインの間の電流を増加させるであろうに正電位を引き起こすであろう。Pb(2+)検出のための応答範囲は0.1pmolから10pmol/Lの濃度で決定されている。著者らの知る限り,これは,現在,鉛イオンを検出するための最良の結果。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電位 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  環境モニタリング ,  金 ,  鉛中毒 ,  *仮像 ,  *HEMT ,  官能化 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  脂肪族アミン ,  チオール ,  脂肪族カルボン酸 ,  トリペプチド ,  含硫アミノ酸
準シソーラス用語： 正電荷 ,  PHEMT ,  実時間 ,  環境問題 ,  *鉛イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 環境モニタリング ,  AlGaAs/InGaAs ,  pHEMT ,  biosensor

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

物質索引 (1件)： グルタチオン

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaAs ,  InGaAs ,  仮像 ,  高電子移動度トランジスタ ,  鉛イオン