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J-GLOBAL ID：201702278903294794   整理番号：17A0402796

InAlAsSbの組成変調に及ぼす焼なましの影響【Powered by NICT】

Effect of annealing on the compositional modulation of InAlAsSb

著者 (13件)： Balades N. (INNANOMAT group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Sales D.L. (INNANOMAT group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Herrera M. (INNANOMAT group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Delgado F.J. (INNANOMAT group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain) ,  Gonzalez M. (U.S Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington D.C. 20375, USA) ,  Gonzalez M. (Sotera Defense Solutions, 430 National Business Pkwy # 100, Annapolis Junction, MD 20701, USA) ,  Clark K. (Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Richardson, TX, 75801, USA) ,  Pinsunkajana P. (Intelligent Epitaxy Technology, Inc. Richardson, TX, 75801, USA) ,  Hoven N. (Rochester Institute of Technology, 85 Lomb Memorial Drive, Rochester, NY 14623, USA) ,  Hubbard S. (Rochester Institute of Technology, 85 Lomb Memorial Drive, Rochester, NY 14623, USA) ,  Tomasulo S. (U.S Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington D.C. 20375, USA) ,  Walters J.R. (U.S Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Ave. SW, Washington D.C. 20375, USA) ,  Molina S.I. (INNANOMAT group, Departamento de Ciencia de los Materiales e I. M. y Q. I., Instituto Universitario de Investigacion en Microscopia Electronica y Materiales (IMEYMAT), CEI MAR, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Cadiz, Spain)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 105-109  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InPに格子整合した分子ビームエピタクシーにより成長させたトップ層として,InAlAsSbの二種類のヘテロ構造における成長後熱処理の影響を,回折コントラスト透過型電子顕微鏡(TEM)により研究した。~11TEM:透過型電子顕微鏡超高効率太陽電池に適用したこの新しいトップセル層材料は,InGaAsバッファ層のない(001)InP基板上に成長させた。初期光ルミネセンス(PL)~22PL:光ルミネセンス測定は,それらの予測されたバンドギャップからのずれを明らかにし,第4層の非ランダム原子分布を示唆した。,熱アニーリングは種々の温度と時間で実施した。層と成長後アニーリング処理の新しい配置によるInAlAsSb活性層の構造に及ぼす効果を報告した。著者らの結果は,アニール後に消失した成長したままのヘテロ構造の小さな組成変動を示し,バンドギャップエネルギーは対応して予測値に向かって増加する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バッファ層 ,  後熱処理 ,  太陽電池 ,  格子整合 ,  光ルミネセンス ,  活性層 ,  MBE成長 ,  *焼なまし ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  バンドギャップ ,  透過型電子顕微鏡 ,  リン化インジウム
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  熱アニーリング ,  ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InAlAsSb ,  高効率 ,  太陽電池 ,  多接合 ,  アニーリング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 組成 ,  変調 ,  焼なまし