文献

J-GLOBAL ID：201702279006943664   整理番号：17A0451327

単一空格子点点欠陥によるグラフェンの調整可能な熱輸送特性【Powered by NICT】

Tunable thermal transport properties of graphene by single-vacancy point defect

著者 (5件)： Gao Yufei (School of Architecture & Civil Engineering, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China) ,  Jing Yuhang (Department of Astronautical Science and Mechanics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Liu Jiaqiu (Harbin Frp Research Institute, Harbin 150001, China) ,  Li Xiaochuan (School of Architecture & Civil Engineering, Shenyang University of Technology, Shenyang 110870, China) ,  Meng Qingyuan (Department of Astronautical Science and Mechanics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China)
資料名： Applied Thermal Engineering  (Applied Thermal Engineering)
巻： 113  ページ： 1419-1425  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0667B  ISSN： 1359-4311  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 代表的な二次元ナノ材料であるグラフェンは,ナノエレクトロニクスの分野で大きな可能性を有している。しかし,通常,グラフェンの作製において避けられない欠陥は実際の応用で顕著な熱効果を引き起こす可能性がある。,熱輸送の効果的で正確な操作であるグラフェン系電子デバイスの実用化のために重要である。本論文では,グラフェンの熱輸送特性に及ぼす単一空格子点欠陥の影響を非平衡分子動力学(NEMD)法で解析した。単一空格子点欠陥の存在は,グラフェンの熱伝導率を減少させることができることを見出した。しかし,以前の結論とは異なり,グラフェンの熱伝導率は,欠陥密度に依存するだけでなく,欠陥の位相幾何学的配置に依存する。今回の結果は,ランダムに分布した欠陥を持つグラフェンの熱伝導率は,欠陥密度の増加と共に単調に減少することを明らかにした。これに反して,規則的に分布した欠陥を持つグラフェンの熱伝導率が同じケースに対し著明な非単調性を発現する。この現象はさらにフォノン特性の解析を行うことにより説明した。これらの結果は,ナノデバイスの熱伝導率に及ぼす正確な操作は,グラフェンの欠陥トポロジー構成を調節することにより実現できることを示した。これらの理解は,ナノエレクトロニクス素子の開発のための重要な参照を提供するであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フォノン ,  熱伝導率 ,  熱影響 ,  欠陥密度 ,  二次元 ,  分子動力学 ,  *点欠陥 ,  位相幾何学 ,  ナノ材料 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  非平衡分子動力学 ,  電子素子 ,  ナノエレクトロニクス ,  *熱輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  単一空孔点欠陥 ,  熱伝導率 ,  分子動力学

分類 (2件)： 熱伝導  (PA02020Z) ,  熱交換器,冷却器  (PA03020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 空格子点 ,  点欠陥 ,  グラフェン ,  輸送特性