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J-GLOBAL ID:201702279010345392   整理番号:17A0251686

個別CdSe/ZnS量子ドットから二硫化錫単層・少数層への非放射エネルギー移動

Nonradiative Energy Transfer from Individual CdSe/ZnS Quantum Dots to Single-Layer and Few-Layer Tin Disulfide
著者 (10件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 4790-4796  発行年: 2016年04月 
JST資料番号: W2326A  ISSN: 1936-0851  CODEN: ANCAC3  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二次元(2D)層状金属ジカルコゲナイドである二硫化錫(SnS2)表面上に,ゼロ次元(0D)コロイドCdSe/ZnS量子ドットを配置したハイブリッド構造体に関して,光励起時の構造体内エネルギー移動を検討した。非放射過程として,光励起CdSe/ZnS量子ドットからSnS2へのエネルギー移動が生じる。エネルギー移動率は,SnS2層数と共に増加する。本ハイブリッド構造は,光起電力・光検出応用に対して潜在的可能性をもつ。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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光伝導,光起電力 

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