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J-GLOBAL ID：201702279115090209   整理番号：17A0868294

ジグザグホスホレン様MX(M=Ge/Sn, X=S/Se)ナノ構造の電子輸送特性【Powered by NICT】

The electronic transport properties of zigzag phosphorene-like MX (M = Ge/Sn, X = S/Se) nanostructures

著者 (8件)： Zhang Mengjun (College of Physics and Materials Science & Henan Key Laboratory of Boron Chemistry and Advanced Energy Materials, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China. [e-mail]) ,  An Yipeng ,  Sun Yongqiang ,  Wu Dapeng ,  Chen Xuenian ,  Wang Tianxing ,  Xu Guoliang ,  Wang Kun
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 26  ページ： 17210-17215  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層ホスホレンのようなMXシートは新しい関心を喚起と物理学と材料科学におけるナノ材料のファミリーになる可能性がある。非平衡Green関数(NEGF)理論と組み合わせた第一原理法を用いて,ジグザグホスホレンのようなMX(M=Ge/Sn, X=S/Se)ナノ構造の電子輸送特性を研究した。結果は,GeSとGeSeナノリボンは非常に類似した電子輸送特性を示すことを実証した。それらの電流-電圧(I V)曲線から興味深い負の微分抵抗(NDR)効果を示し,それらの類似したバンド構造に起因するリボン幅には鈍感であった。しかし,SnSとSnSeナノリボンの電子輸送特性は,それらの異なるバンド構造に起因するリボン幅に依存して明らかにした。SnSナノリボンの大部分は,電流制限効果を示した。SnSeナノリボンは,NDR効果,低い印加バイアスで出現したを示すことができた。電流は主に金属終端に沿ったホスホレンのようなMXナノリボンを通して伝搬し,S/Se終端に沿ってほとんど。さらに,それらの二次元単分子層は一次元構造からの明らかな違いを示した。これらホスホレンのようなMXナノ構造はナノエレクトロニクスへの応用の可能性を有しており,ナノデバイスの候補,NDRデバイスなどになる可能性がある。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  *セレン化物 ,  *単分子層 ,  *ナノ構造 ,  *輸送現象 ,  リボン結晶 ,  類似性 ,  電流電圧特性 ,  負性抵抗 ,  バンド構造 ,  電流制限 ,  末端基 ,  固体素子
準シソーラス用語： *ジグザグ構造 ,  ナノデバイス ,  ナノリボン ,  *電子輸送

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ジグザグ ,  ホスホレン ,  Sn ,  Se ,  ナノ構造 ,  電子 ,  輸送特性