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J-GLOBAL ID：201702279167251769   整理番号：17A0181165

III Nsとn MoS_2/p-InGaNダイオードのエピタキシャル形成上の大面積MoS_2van der Waalsエピタクシー【Powered by NICT】

Large area MoS₂ van der Waals epitaxy on III-Ns and the epitaxial formation of a n-MoS₂/p-InGaN diode

著者 (7件)： Jung Kyooho (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801) ,  Liu Che-Yu (Departmet of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Kim J D (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801) ,  Choi Wonsik (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801) ,  Zhou Weidong (Department of Electrical Engineering, University of Texas, Arlington, TX 76019) ,  Kuo Hao-Chung (Departmet of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Li Xiuling (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IPC  ページ： 657-658  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN基板上に整列したMoS_2三角形のエピタキシャル成長と>センチメートルサイズの連続シートへの進化を実証した。明瞭な整流挙動を持つn MoS_2/p-InGaNダイオードを直接van der Waalsエピタクシーにより実現した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  整流 ,  *エピタクシー ,  *ダイオード
準シソーラス用語： *大面積 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  塩  (CD01050V) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  ダイオード ,  エピタキシャル ,  大面積 ,  エピタクシー